科林研發推出先進邏輯元件用的介電質原子層蝕刻功能

最新的Flex™系統可提供業界首創的量產用介電質ALE製程

加州弗里蒙特市2016年9月7日電 /美通社/ -- 先進的半導體設備製造商科林研發公司(Lam Research Corp.)今天宣佈，已在其Flex™介電質蝕刻系統中增加了原子層蝕刻(ALE)功能，以擴展ALE技術的產品組合。運用科林研發的先進混合模式脈衝 (AMMP)技術，新的ALE製程展現出原子級的控制能力，可克服邏輯元件微縮至10奈米以下時面對的重要挑戰。這是業界首度將電漿輔助ALE製程運用在介電質薄膜上並導入量產，這套最新的Flex系統已獲得廣泛的採用，以作為大量製造邏輯元件之用。

科林研發蝕刻產品部門副總裁Vahid Vahedi表示：「從電晶體和接點建立(contact creation)到連線圖樣(interconnect patterning)，邏輯製造商需要全新等級的精密度才能持續微縮到10奈米以下的製程節點。對自動對準接點(self-aligned contact)等這類元件促成關鍵技術(device-enabling)應用來說，蝕刻有助於建立關鍵結構，但是傳統的技術無法提供符合現在嚴格規範所需的足夠控制能力。我們最新的Flex產品具備介電質ALE功能，其原子級控制能力是經過生產力驗證的，可以滿足客戶的重要要求。」

為了持續邏輯元件的微縮，晶片製造商正採用像是自動對準接點(SAC)等新的整合方法，來解決RC延遲等問題。因此，接點蝕刻已成為最關鍵的製程之一，會直接影響晶圓良率與電晶體效能。為了能以高解析度製作關鍵的元件結構，蝕刻製程需要具備超高選擇性(selectivity)的方向性(非等向性)功能，同時還要能提供製造所需的生產力。

針對下一代的邏輯與晶圓製造應用，科林研發的Flex介電質蝕刻系統可提供業界最先進的電容式耦合電漿 (CCP)反應器，它獨特的小容量設計可提供穩定可靠的生產結果。此最新系統採用屬獨家的AMMP技術，以藉此實現二氧化矽(SiO₂)等介電質薄膜的ALE製程。與先前的介電質蝕刻技術相比，此功能可提升2倍的選擇性，而且還能提供原子級的控制能力。

關於科林研發

科林研發股份有限公司(NASDAQ：LRCX)是值得信賴的全球晶圓製程設備與服務供應商，為半導體產業提供創新的晶圓製造設備和服務。科林研發提供業界領先的多元化產品組合，包括薄膜沉積、電漿蝕刻、光阻去除和晶圓清洗解決方案，可協助客戶成功地在晶圓上製造出尺寸比一粒砂還小千分之一的元件結構，因而實現更小、更快、更省電的晶片。透過合作、持續創新、以及信守承諾，科林研發正為原子級工程技術帶來變革，並攜手客戶創造科技的未來。科林研發的總部設在加州弗里蒙特市，其納斯達克股票代號為LRCX，並且是納斯達克100指數以及標準普爾500指數的成分股公司。欲了解更多訊息，請造訪http://www.lamresearch.com。(LRCX-P)

前瞻性聲明注意事項

本新聞稿中的一些非既往事實陳述為前瞻性聲明，這些聲明受到「1995年美國私人證券訴訟改革法案」的安全港條款約束。這些前瞻性聲明論及，但不僅限於，科林研發設備的功能或是具備可實現電晶體微縮至10奈米製程節點以下的能力等聲明。一些重要的因素可能會影響這些前瞻性聲明，包括半導體製造商採用的整合方法和製程技術。這些前瞻性聲明是根據目前的信念與預期而制定，會受到風險、不確定性以及條件、重要性、價值與效益改變的影響，包括科林研發在其年度財報10-K表格中所討論的「風險因素」，以及科林研發向證券交易委員會提交的其他檔案中所陳列的因素等。這些風險、不確定性以及條件、重要性、價值與效益的改變可能會不可預見地造成實際結果與這些預期性聲明產生重大差異。讀者應注意，不要過分地依賴這些前瞻性聲明，因為這些敘述是根據科林研發截至新聞稿發佈日期已知的合理資訊所制定。我們沒有義務在新聞稿發出之後發佈任何有關這些前瞻性聲明的修正，以反映有預期或非預期事件及情況的發生。

Company Contact:

Kerry Farrell
Media Inquires
510-572-3175
Email: kerry.farrell@lamresearch.com

Hui-Yun Chen 陳慧筠
Asia Inquiries
Phone: +65-6347-6819
Email: Hui-Yun.Chen@lamresearch.com

Satya Kumar
Investor Relations
1-510-572-3232
Email: investor.relations@lamresearch.com 

圖標 - http://photos.prnasia.com/prnh/20160905/8521605586LOGO